Samsung начинает производство 2-х Гигабитных чипов DDR3

Корпорация Samsung Electronics объявила о запуске массового производства первых в мире двух гигабитных чипов памяти DDR3 произведенных с использованием нового 40 нм техпроцесса. По сравнению с 50 нм технологией, переход на 40 нм техпроцесс производства обеспечит рост производительности памяти на 60%.

Новые чипы повышенной плотности будут использоваться в модулях памяти RDIMM объемом 16 Гб, 8 Гб и 4 Гб предназначенных для серверов, а так же в модулях UDIMM и SODIMM которые используются в настольных компьютерах и ноутбуках. Новые чипы от Samsung поддерживают скорость передачи данных до 1,6 Гигабит в секунду и работают с напряжением 1.35 вольта.

Согласно исследованиям рынка компанией iSuppli, ожидается что 2-х гигабитные чипы DDR3 составят 82% от общего объема проданной памяти DDR3 DRAM в устройствах к 2012 году.