Новая флеш-память 3D NAND представлена Intel и Micron

Согласно с официальными сведениями в этой памяти плотность упаковки данных превышает в три раза возможности технологий конкурирующих Toshiba и Samsung. Представители Intel и Micron говорят о совершенно новом подходе к созданию 3D флеш-памяти, которые полностью отличаются от сегодняшних 3D NAND типов. Благодаря чему появилась возможность создавать MLC чипы объемов в 256 Гбит, для TLC цифра возрастет, соответственно, до 384 Гбит. Что это дает рядовому потребителю?

Новая технология позволяет создавать твердотельные накопители формата 2,5 объемом в 10 терабайт, тогда как сегодня их емкость не превышает и 2 терабайт. Для накопителей М.2 форм-фактора можно создавать SSD объемов в 3,5 терабайт, что очень непривычно по сегодняшним меркам. Для этого в последнем варианте нужно пять TLC корпусов емкостью в 384 Гбит, содержащих по 16 кристаллов.

Всем известно о сильном падении надежности NAND памяти с увеличением плотности и уменьшением технического процесса, особенно в совокупности с применением 3-битных ячеек. Однако в этом случае нет причин для беспокойства. Хоть Intel и не комментирует пока этот вопрос, но вероятнее всего, для производства памяти будет применяться грубый техпроцесс, эквивалентный примерно классическому 50-нанометровому. Известно, что 50-нанометровая MLC память выдерживает запросто 10 000 циклов перезаписи. Уже стартовали поставки 256-гигабитных MLC чипов партнерам Intel, а образцы 384-гигабитных TLC микросхем они получат немного позднее.

Источник: qwedr.com