IBM, AMD и Toshiba создали самую маленькую ячейку SRAM

Производители интегральных схем при создании элементов SRAM с использованием обычных планарных транзисторов, как правило, корректируют свойства материалов путем добавления различных примесей или присадок, делая это с конечной целью уменьшения размеров транзисторов. Данная методика, однако, создает нежелательную изменчивость характеристик и ухудшает стабильность работы SRAM. Этот эффект становится особо критичным при применении 22-нанометровых (и более «тонких») норм технологического процесса изготовления чипов. Использование FinFET-транзисторов – вертикальных полевых транзисторов «плавникового» типа с нелегированными (не содержащими добавок) кремниевыми каналами – является альтернативным подходом, позволяющим добиться уменьшения площади элементов памяти SRAM с минимальным изменением характеристик.

Исследователи изучили эффект случайного варьирования свойств FinFET-транзисторов в сверхминиатюрных элементах SRAM. В ходе экспериментов было установлено, что стабильность характеристик FinFET-транзисторов без легирования каналов улучшается на 28%. При моделировании ячеек SRAM с площадью 0,063 квадратных микрона, что эквивалентно 22-нанометровым электронным цепям, полученные результаты показали, что элементы памяти FinFET SRAM потенциально обладают значительным преимуществом с точки зрения стабильности работы по сравнению с существующими элементами SRAM на базе планарных FET-транзисторов.

Компании Toshiba, IBM и AMD позиционируют свою новую технологию как весьма перспективную транзисторную структуру для модулей памяти SRAM, изготавливаемых с применением 22-нанометровых (и ниже) технологических норм.