Микросхемы TLC 3D V-NAND от Samsung

И для начала это ее надежность, и это принимая к сведенью тот факт, что схема получила трехъячеечную архитектуру. Кроме этого она приобрела также и достаточно большую емкость. Это получилось благодаря тому, что разработчик при ее создании использовал многослойность.

И вот на выставке компания Samsung представила свои новенькие кремневые пластины, в комплекте которых находятся именно такие чипы. Так на выставке находились кристаллы, как вполне классической flash-память, рассчитанные на 16 Гб и произведенные при использовании 10-нанометровой технической операции. Так и кристаллы 32-слойные, которые получили емкость в 128 Гб. Как заявляет разработчик, именно последняя память планируется выпускаться массовыми партиями.

Нужно отметить, что емкость в 128 Гб это на нынешний момент предельный объем, но вот Intel заявляет, что планирует в будущем производить память с размером в 256 Гб. Как впрочем, и корпорация Samsung, но деталей на данную минуту ни одна из корпораций не сообщает. Ходит мнение, что ближе к 2017 году такие памяти будут производиться с объемом в 1 Терабайт.

Источник: qwedr.com