Qimonda работает над углеродной памятью

По сообщению докладчика, размеры элементов новой памяти могут составлять порядка 2-3 нанометров. Это позволит углеродным микросхемам обладать в несколько раз большей ёмкостью по сравнению с PRAM-памятью (память с фазовым переходом, также считается очень перспективным направлением в отрасли), которая не может выпускаться по проектным нормам, меньше 30 нм.

Инженеры Qimonda продемонстрировали технологию, которая позволяет изменять форму углерода (переключаться между аллотропными модификациями) под действием приложенного электрического тока. Сообщается о возможности «переключения» между углеродными нанотрубками, графитом (проводящий углерод) и алмазом (изолятор). При подаче тока определённой величины материал последовательно переключается из одного состояния в другое, а для возврата в первоначальное состояние (Reset) достаточно подать более сильный ток.

Сами разработчики признаются, что находятся пока на очень ранней стадии исследований, тем не менее, первые результаты дают повод для оптимизма. Как отмечается, в лабораторных экспериментах углеродная память показывает превосходное время отклика, а также возможность большого количества переходов из одного состояния в другое.