Компании Intel и Micron создали 25 нм NAND с плотностью записи 3 бита на ячейку

Компании Intel и Micron Technology разработали первые образцы более совершенного типа флеш-памяти NAND. Чипы памяти выполнены по 25 нм технологии и плотность записи у них составляет 3 бита на ячейку. Это память на основе «трехуровневых ячеек» TLC (triple-level cell), в отличие от одноуровневых SLC (single-level cell) с одним битом на ячейку и MLC (multi-level cell) с двумя битами на ячейку.

Объем модуля новой памяти Intel составляет 8 Гб и он на 20% более компактный, чем подобные решения предыдущего поколения. Такая память, по словам Intel, пригодится для карт SD, USB накопителей, медиаплееров и других компактных устройств потребительской электроники. Компания уже начала поставки первых образцов некоторым своим партнерам.

Intel утверждает, что ее новая память обладает самой высокой емкостью и небольшими размерами в индустрии. Благодаря ей флеш-накопители и карты смогут стать более емкими без увеличения габаритов, считает компания. К концу этого года на рынок уже выйдут устройства, сконструированные на основе новых 25 нм чипов от Intel и Micron. Правда, сама Intel пока вряд ли будет использовать ее для своих твердотельных накопителей, которые пока нуждаются в памяти с большей скоростью, но меньшей плотностью.