Samsung выпустила 2-Гбит DDR3-чипы 30-нм класса

Компания Samsung Electronics с гордостью заявила о запуске массового производства первых в отрасли DDR3-чипов емкостью 2 Гбит, выпускаемых с использованием техпроцесса 30-нм класса. Благодаря переходу на более тонкие проектные нормы, новая память отличается высокой производительностью при сравнительно малой потребляемой мощности. Сам производитель называет свою память Green DDR3, подчеркивая тем самым «дружественность» продукции к экологической среде.

На базе чипов Samsung 30-нм класса можно проектировать модули памяти для серверных систем с напряжением питания 1,35 В и производительностью 1,866 Гбит/с. Модули памяти для настольных ПК могут работать на скорости 2,133 Гбит/с при напряжении 1,5 В. По сравнению с DDR3-чипами 50-нм класса, новая память обеспечивает около 20% экономии электроэнергии. Что касается производительности, то здесь выигрыш составляет порядка 155% по сравнению с памятью предыдущего поколения.

Конечно, Samsung не собирается останавливаться на достигнутом. Уже к концу года компания планирует выпустить DDR3-чипы 30-нм класса емкостью 4 Гбит, что позволит создавать еще более емкие модули памяти.

Хотитя занять своего ребёнка чем то полезным? игры скубиду — отличный выбор!